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主要功能显著抑制单晶硅和多晶硅太阳电池的光衰减效益,兼具提升太阳电池转化效率的功能,提高电池实际发电效益。这里要指出的是,本协议所指的单晶硅、多晶硅电池或者相应组件的初始光衰减是由于硅片中由于含有硼、氧以及金属杂质所形成之复合缺陷导致的效应,而非由其他因素例如组件 EVA及其他材料老化等因素造成的。
一、 主要技术指标
1〉 设备尺寸: L4500mm×W1415mm ×H1650mm
产品质量保证书、出厂效证报告及中文操作说明书各一份
太阳能PERC电池电注入抗LID光衰炉


2〉 额定工作炉温: 氮气 350℃空气 350℃
3〉 最高使用温度: 350℃
4〉 升温速度: ≥12℃/Min
5〉 降温速度: ≥12℃/Min( 50℃上时平均值)
6〉 温度控制方式: PID+SCR循环风机加强炉内温度均匀性
7〉 压缩空气要求:( 0.56~0.84) MPa(干燥、洁净的压缩气体)
8〉 循环冷却水要求: 进水温度≤25° C,压强( 0.35~0.5) MPa, 入口和出口的最小压力差为 30PSIG(约 0.2MPa),冷却水用量: 2m3/h( 25° C 进水温度时)
9〉 加热功率: 45kW
10〉 产能:≥2400 片/小时,适用 156mm 规格硅片
11〉 碎片率:≤0.05%;
12〉 人工上料,料盒方式;
13〉 电池(掺硼硅片)光衰率要求:在 5kWH 的光衰条件下(氙灯 1000W/m2,5H)1) Perc 单晶:≤1.5%;2) Perc 多晶:≤2.5%;